RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
42
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3126
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link