RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
18.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
4207
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link