RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3899
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Jinyu 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link