RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2968
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link