RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2841
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link