RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
25
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2709
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link