RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
47
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
47
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2074
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link