RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 8 13 18 23 29 34 35 36 37 38
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2996
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link