RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3704
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link