RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 16G2666CL19 16GB

Micron Technology 16G2666CL19 16GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Samsung 1600 CL10 Series 8GB Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.1 left arrow 15.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.1 left arrow 8.2
    Średnia wartość w badaniach
Micron Technology 16G2666CL19 16GB Powody do rozważenia
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    24 left arrow 25
    Wokół strony -4% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 12800
    Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    25 left arrow 24
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.1 left arrow 15.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    10.1 left arrow 8.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2764 left arrow 2438

Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Micron Technology 16G2666CL19 16GB Porównanie pamięci RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Pamięć RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Pamięć RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Pamięć RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Pamięć RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Pamięć RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Pamięć RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Pamięć RAM
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Pamięć RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Pamięć RAM
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Pamięć RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Pamięć RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Pamięć RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Pamięć RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Pamięć RAM