RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
52
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17500
12800
Wokół strony 1.37 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
52
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17500
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2319
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link