RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
52
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17500
12800
Wokół strony 1.37 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
52
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17500
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2319
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link