RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2288
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link