RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2173
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link