RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3528
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link