RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3909
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link