RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
25
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
21
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3168
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link