RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
25
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2633
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link