RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3084
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link