RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2369
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link