RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2369
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link