RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2950
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link