RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
36
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2734
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link