RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
81
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
6.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
81
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1460
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link