RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
43
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
43
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2058
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link