RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Super Talent F3200UA8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Super Talent F3200UA8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
58
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Super Talent F3200UA8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
16.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
58
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2250
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link