RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2892
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link