RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3907
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link