RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3907
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link