RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
25
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3204
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link