RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3611
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link