RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
69
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
69
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
1602
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link