RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
43
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3606
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link