RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
43
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3938
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link