RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
43
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3938
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link