RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
78
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
78
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2087
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link