RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
71
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2734
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link