RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
43
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
41
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2686
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link