RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.8
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2936
2925
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link