RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
43
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
4382
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link