RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
43
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3819
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link