RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
43
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2605
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link