RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
43
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3673
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905403-001.B00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link