RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
41
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
3199
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link