RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3638
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link