Porównanie pamięci RAM Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Wynik ogólny

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

43 67

Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.6 8.2

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

15.3 14.9

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 12800

Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2506 2042

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns