RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
5.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
43
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
5.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
1884
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link