Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    25 left arrow 43
    Wokół strony -72% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.1 left arrow 14.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    11.2 left arrow 9.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 12800
    Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    43 left arrow 25
  • Prędkość odczytu, GB/s
    14.9 left arrow 15.1
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.6 left arrow 11.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2506 left arrow 2489
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania