RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
43
Intorno -72% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
25
Velocità di lettura, GB/s
14.9
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
2489
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link