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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
8500
Intorno 2.75 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
27
Velocità di lettura, GB/s
12.7
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
23400
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3245
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
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