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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
8500
Autour de 2.75 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
23400
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3245
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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