RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
8500
Por volta de 2.75 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.0
Largura de banda de memória, mbps
8500
23400
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3245
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link