RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
8500
Около 2.75 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
23400
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3245
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-001.B00LF 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link